MOSFET vs BJT
Transistor ኤሌክትሮኒክ ሴሚኮንዳክተር መሳሪያ ሲሆን በትንንሽ የግቤት ሲግናሎች ላይ ለሚደረጉ ጥቃቅን ለውጦች በአብዛኛው የሚለዋወጥ የኤሌክትሪክ ውፅዓት ሲግናል ነው። በዚህ ጥራት ምክንያት መሳሪያው እንደ ማጉያ ወይም ማብሪያ / ማጥፊያ ሆኖ ሊያገለግል ይችላል። ትራንዚስተር በ1950ዎቹ የተለቀቀ ሲሆን በ20ኛው ክፍለ ዘመን ለአይቲ ያበረከተውን አስተዋፅዖ ግምት ውስጥ ካስገቡት በጣም አስፈላጊ ፈጠራዎች አንዱ ተደርጎ ሊወሰድ ይችላል። በፍጥነት በማደግ ላይ ያለ መሳሪያ ሲሆን ብዙ አይነት ትራንዚስተሮች ገብተዋል። ባይፖላር መስቀለኛ መንገድ ትራንዚስተር (BJT) የመጀመሪያው ዓይነት ሲሆን ሜታል ኦክሳይድ ሴሚኮንዳክተር ፊልድ ኢፌክት ትራንዚስተር (MOSFET) በኋላ የገባው ሌላው ትራንዚስተር ዓይነት ነው።
Bipolar Junction Transistor (BJT)
BJT ሁለት የፒኤን መገናኛዎችን ያቀፈ ነው (የፒ አይነት ሴሚኮንዳክተር እና n አይነት ሴሚኮንዳክተር በማገናኘት የተሰራ)። እነዚህ ሁለት መገናኛዎች በፒ-ኤን-ፒ ወይም በኤን-ፒ-ኤን ቅደም ተከተል ሶስት ሴሚኮንዳክተር ክፍሎችን በማገናኘት የተፈጠሩ ናቸው. ስለዚህ PNP እና NPN በመባል የሚታወቁ ሁለት አይነት BJT ይገኛሉ።
ሶስት ኤሌክትሮዶች ከነዚህ ሶስት ሴሚኮንዳክተር ክፍሎች ጋር የተገናኙ ሲሆን መካከለኛ እርሳስ ደግሞ 'ቤዝ' ይባላል። ሌሎች ሁለት መገናኛዎች 'አሚተር' እና 'ሰብሳቢ' ናቸው።
በBJT ውስጥ፣ትልቅ ሰብሳቢ ኢሚተር (አይሲ) አሁኑን የሚቆጣጠረው በአነስተኛ ቤዝ emitter current (IB) ነው እና ይህ ንብረት ማጉያዎችን ወይም መቀየሪያዎችን ለመንደፍ ይጠቅማል። ስለዚህ እንደ ወቅታዊ የሚነዳ መሳሪያ ተደርጎ ሊወሰድ ይችላል. BJT በአብዛኛው የሚያገለግለው በማጉያ ወረዳዎች ነው።
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
MOSFET የመስክ ኢፌክት ትራንዚስተር (FET) አይነት ሲሆን እሱም ‘በር’፣ ‘ምንጭ’ እና ‘ድሬን’ በሚባሉ ሶስት ተርሚናሎች የተሰራ ነው። እዚህ, የፍሳሽ ጅረት የሚቆጣጠረው በበር ቮልቴጅ ነው. ስለዚህ MOSFET የቮልቴጅ ቁጥጥር የሚደረግባቸው መሳሪያዎች ናቸው።
MOSFETዎች በአራት አይነት እንደ n ቻናል ወይም ፒ ቻናል በመቀነስ ወይም በማጎልበት ሁኔታ ይገኛሉ። ፍሳሽ እና ምንጩ በ n አይነት ሴሚኮንዳክተር የተሰሩት ለ n ቻናል MOSFETs እና በተመሳሳይ መልኩ ለፒ ቻናል መሳሪያዎች ነው። በር ከብረት የተሰራ እና ከብረት ኦክሳይድ በመጠቀም ከምንጩ እና ፍሳሽ ይለያል. ይህ ሽፋን ዝቅተኛ የኃይል ፍጆታን ያስከትላል እና በ MOSFET ውስጥ ያለው ጥቅም ነው። ስለዚህ MOSFET በዲጂታል CMOS አመክንዮ ጥቅም ላይ ይውላል፣ የ p- እና n-channel MOSFETs የኃይል ፍጆታን ለመቀነስ እንደ ግንባታ ብሎኮች ጥቅም ላይ ይውላሉ።
የMOSFET ፅንሰ-ሀሳብ በጣም ቀደም ብሎ የቀረበ ቢሆንም (በ1925) በ1959 በቤል ቤተ ሙከራ ተተግብሯል።
BJT vs MOSFET
1። BJT በመሠረቱ በአሁኑ ጊዜ የሚነዳ መሳሪያ ነው፣ነገር ግን MOSFET እንደ የቮልቴጅ ቁጥጥር መሳሪያ ተደርጎ ይቆጠራል።
2። የBJT ተርሚናሎች ኤሚተር፣ ሰብሳቢ እና ቤዝ በመባል ይታወቃሉ፣ MOSFET ግን ከበር፣ ምንጭ እና ፍሳሽ ነው።
3። በአብዛኛዎቹ አዳዲስ አፕሊኬሽኖች MOSFETs ከBJTs ጥቅም ላይ ይውላሉ።
4። MOSFET ከBJT ጋር ሲነጻጸር የበለጠ ውስብስብ መዋቅር አለው
5። MOSFET ከBJTs ይልቅ በኃይል ፍጆታ ቀልጣፋ ስለሆነ በCMOS ሎጂክ ጥቅም ላይ ይውላል።
