BJT vs IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) እና IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ሞገድን ለመቆጣጠር የሚያገለግሉ ሁለት አይነት ትራንዚስተሮች ናቸው። ሁለቱም መሳሪያዎች የፒኤን መገናኛዎች እና በመሳሪያ መዋቅር ውስጥ የተለያዩ ናቸው. ሁለቱም ትራንዚስተሮች ቢሆኑም በባህሪያቸው ጉልህ ልዩነቶች አሏቸው።
BJT (ቢፖላር መገናኛ ትራንዚስተር)
BJT ሁለት የፒኤን መጋጠሚያዎችን (የፒ አይነት ሴሚኮንዳክተር እና n አይነት ሴሚኮንዳክተርን በማገናኘት የሚደረግ መገናኛ) ያለው ትራንዚስተር አይነት ነው። እነዚህ ሁለት መገናኛዎች በፒ-ኤን-ፒ ወይም በኤን-ፒ-ኤን ቅደም ተከተል ሶስት ሴሚኮንዳክተር ክፍሎችን በማገናኘት የተፈጠሩ ናቸው. ስለዚህ ሁለት ዓይነት BJTs፣ PNP እና NPN በመባል ይታወቃሉ።
ሶስት ኤሌክትሮዶች ከነዚህ ሶስት ሴሚኮንዳክተር ክፍሎች ጋር የተገናኙ ሲሆን መካከለኛ እርሳስ ደግሞ 'ቤዝ' ይባላል። ሌሎች ሁለት መገናኛዎች 'አሚተር' እና 'ሰብሳቢ' ናቸው።
በBJT ውስጥ፣ ትልቅ ሰብሳቢ አሚተር (Ic) አሁኑን የሚቆጣጠረው በአነስተኛ ቤዝ emitter current (IB) እና ይህ ንብረት ነው። ማጉያዎችን ወይም መቀየሪያዎችን ለመንደፍ ጥቅም ላይ ይውላል. ስለዚህ, እንደ ወቅታዊ የሚነዳ መሳሪያ ተደርጎ ሊወሰድ ይችላል. BJT በአብዛኛው የሚያገለግለው በማጉያ ወረዳዎች ነው።
IGBT (የተሸፈነ በር ባይፖላር ትራንዚስተር)
IGBT 'Emitter'፣ 'Collector' እና 'Gate' በመባል የሚታወቁ ሶስት ተርሚናሎች ያሉት ሴሚኮንዳክተር መሳሪያ ነው። ከፍተኛ መጠን ያለው ሃይል ማስተናገድ የሚችል እና ከፍተኛ የመቀያየር ፍጥነት ያለው ከፍተኛ ብቃት ያለው ትራንዚስተር አይነት ነው። IGBT በ1980ዎቹ ከገበያ ጋር ተዋወቀ።
IGBT የሁለቱም MOSFET እና ባይፖላር መጋጠሚያ ትራንዚስተር (BJT) ጥምር ባህሪያት አሉት። እንደ MOSFET የሚነዳ በር ሲሆን እንደ BJTs ያሉ የቮልቴጅ ባህሪያት አሉት።ስለዚህ የሁለቱም ከፍተኛ የአሁኑ አያያዝ ችሎታ እና የቁጥጥር ቀላልነት ጥቅሞች አሉት። IGBT ሞጁሎች (በርካታ መሣሪያዎችን ያቀፈ) ኪሎዋት ኃይልን ይይዛሉ።
በBJT እና IGBT መካከል ያለው ልዩነት
1። BJT በአሁኑ ጊዜ የሚነዳ መሳሪያ ሲሆን IGBT ግን በጌት ቮልቴጅ የሚነዳ ነው።
2። የIGBT ተርሚናሎች ኤሚተር፣ ሰብሳቢ እና በር በመባል ይታወቃሉ፣ BJT ግን ከአሚተር፣ ሰብሳቢ እና መሰረት ነው።
3። IGBT በኃይል አያያዝ ከBJT የተሻሉ ናቸው
4። IGBT እንደ BJT እና FET (Field Effect Transistor) ጥምረት ተደርጎ ሊወሰድ ይችላል።
5። IGBT ከBJT ጋር ሲነጻጸር ውስብስብ የመሣሪያ መዋቅር አለው።
6። BJT ከIGBT ጋር ሲወዳደር ረጅም ታሪክ አለው
