BJT vs FET
ሁለቱም BJT (Bipolar Junction Transistor) እና FET (Field Effect Transistor) ሁለት አይነት ትራንዚስተሮች ናቸው። ትራንዚስተር ኤሌክትሮኒክ ሴሚኮንዳክተር መሳሪያ ሲሆን በትንንሽ የግብአት ምልክቶች ላይ ለትንንሽ ለውጦች በአብዛኛው ተለዋዋጭ የኤሌክትሪክ ውፅዓት ምልክት ይሰጣል። በዚህ ጥራት ምክንያት መሳሪያው እንደ ማጉያ ወይም ማብሪያ / ማጥፊያ ሆኖ ሊያገለግል ይችላል። ትራንዚስተር በ1950ዎቹ የተለቀቀ ሲሆን በ20ኛው ክፍለ ዘመን ለአይቲ ልማት ያለውን አስተዋፅዖ ግምት ውስጥ ካስገቡት በጣም አስፈላጊ ፈጠራዎች አንዱ ተደርጎ ሊወሰድ ይችላል። ለትራንዚስተር የተለያዩ የአርክቴክቸር አይነቶች ተፈትነዋል።
Bipolar Junction Transistor (BJT)
BJT ሁለት የፒኤን መገናኛዎችን ያቀፈ ነው (የፒ አይነት ሴሚኮንዳክተር እና n አይነት ሴሚኮንዳክተር በማገናኘት የተሰራ)። እነዚህ ሁለት መገናኛዎች በፒ-ኤን-ፒ ወይም በኤን-ፒ-ኤን ቅደም ተከተል ሶስት ሴሚኮንዳክተር ክፍሎችን በማገናኘት የተፈጠሩ ናቸው. እዚያ PNP እና NPN በመባል የሚታወቁት ለሁለት አይነት BJT ይገኛሉ።
ሶስት ኤሌክትሮዶች ከነዚህ ሶስት ሴሚኮንዳክተር ክፍሎች ጋር የተገናኙ ሲሆን መካከለኛ እርሳስ ደግሞ 'ቤዝ' ይባላል። ሌሎች ሁለት መገናኛዎች 'አሚተር' እና 'ሰብሳቢ' ናቸው።
በBJT ውስጥ፣ትልቅ ሰብሳቢ ኢሚተር (አይሲ) አሁኑን የሚቆጣጠረው በአነስተኛ ቤዝ emitter current (IB) ነው እና ይህ ንብረት ማጉያዎችን ወይም መቀየሪያዎችን ለመንደፍ ይጠቅማል። ለእሱ እንደ የአሁኑ የሚነዳ መሣሪያ ተደርጎ ሊወሰድ ይችላል። BJT በአብዛኛው የሚያገለግለው በማጉያ ወረዳዎች ነው።
Field Effect Transistor (FET)
FET የተሰራው 'በር'፣ 'ምንጭ' እና 'ድሬን' በመባል ከሚታወቁ ሶስት ተርሚናሎች ነው። እዚህ የፍሳሽ ጅረት የሚቆጣጠረው በበር ቮልቴጅ ነው. ስለዚህ፣ FETs በቮልቴጅ ቁጥጥር ስር ያሉ መሳሪያዎች ናቸው።
እንደ ሴሚኮንዳክተር አይነት ምንጭ እና ፍሳሽ (FET ውስጥ ሁለቱም ከተመሳሳይ ሴሚኮንዳክተር አይነት የተሰሩ ናቸው) በመወሰን FET የኤን ቻናል ወይም ፒ ቻናል መሳሪያ ሊሆን ይችላል። የአሁኑን ፍሰት ለማፍሰስ ምንጭ የሚቆጣጠረው ተገቢውን ቮልቴጅ በበር ላይ በመጫን የሰርጡን ስፋት በማስተካከል ነው። በተጨማሪም መቀነስ እና ማሻሻል በመባል የሚታወቀው የሰርጡን ስፋት ለመቆጣጠር ሁለት መንገዶች አሉ። ስለዚህ FETs በአራት አይነት እንደ N ቻናል ወይም ፒ ቻናል በመቀነስ ወይም በማሻሻል ሁነታ ይገኛሉ።
እንደ MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)፣ HEMT (High Electron Mobility Transistor) እና IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) የመሳሰሉ ብዙ አይነት FETs አሉ። በናኖቴክኖሎጂ እድገት ምክንያት የሆነው CNTFET (ካርቦን ናኖቱብ ኤፍኢቲ) የFET ቤተሰብ የቅርብ ጊዜ አባል ነው።
በBJT እና FET መካከል ያለው ልዩነት
1። BJT በመሠረቱ በአሁኑ ጊዜ የሚነዳ መሳሪያ ነው፣ ምንም እንኳን FET እንደ የቮልቴጅ ቁጥጥር የሚደረግበት መሳሪያ ተደርጎ ቢወሰድም።
2። የBJT ተርሚናሎች ኤሚተር፣ ሰብሳቢ እና ቤዝ በመባል ይታወቃሉ፣ FET ግን ከበር፣ ምንጭ እና ፍሳሽ የተሰራ ነው።
3። በአብዛኛዎቹ አፕሊኬሽኖች ውስጥ FETs ከBJTs ጥቅም ላይ ይውላሉ።
4። BJT ለማሰራጫ ሁለቱንም ኤሌክትሮኖችን እና ቀዳዳዎችን ይጠቀማል፣ FET ግን ከመካከላቸው አንዱን ብቻ ነው የሚጠቀመው እና ዩኒፖላር ትራንዚስተሮች ተብሎ ይጠራል።
5። FETs ከBJTs ኃይል ቆጣቢ ናቸው።
