IGBT vs GTO
GTO (ጌት ማጥፋት Thyristor) እና IGBT (የተጋለጠ በር ባይፖላር ትራንዚስተር) ሶስት ተርሚናሎች ያላቸው ሁለት አይነት ሴሚኮንዳክተር መሳሪያዎች ናቸው። ሁለቱም ጅረቶችን ለመቆጣጠር እና ለመቀያየር ዓላማዎች ያገለግላሉ። ሁለቱም መሳሪያዎች 'ጌት' የሚባል የመቆጣጠሪያ ተርሚናል አላቸው፣ ነገር ግን የተለያዩ የስራ ርእሰ መምህራን አሏቸው።
GTO (በር ማጥፋት Thyristor)
GTO ከአራት ፒ አይነት እና ኤን አይነት ሴሚኮንዳክተር ንብርብሮች የተሰራ ሲሆን የመሳሪያው መዋቅር ከተለመደው thyristor ጋር ሲወዳደር ትንሽ የተለየ ነው። በትንታኔ፣ GTO እንደ ተለመደው thyristors ተመሳሳይ ጥንድ ትራንዚስተሮች (አንድ PNP እና ሌላ በ NPN ውቅር) ይቆጠራል።ሶስት የGTO ተርሚናሎች ‘anode’፣ ‘cathode’ እና ‘gate’ ይባላሉ።
በስራ ላይ፣ thyristor የሚሠራው የልብ ምት ለበሩ ሲቀርብ ነው። ‘Reverse blocking mode’፣ ‘Forward blocking mode’ እና ‘Forward conducting mode’ በመባል የሚታወቁ ሶስት የአሰራር ዘዴዎች አሉት። አንዴ በሩ በ pulse ከተቀሰቀሰ በኋላ፣ thyristor ወደ 'ወደፊት conducting mode' ይሄዳል እና የፊት አሁኑ 'ከያዘው የአሁኑ' ገደብ እስኪቀንስ ድረስ መስራቱን ይቀጥሉ።
ከመደበኛ thyristors ባህሪያት በተጨማሪ የGTO 'ጠፍቷል' ሁኔታ እንዲሁ በአሉታዊ የልብ ምት መቆጣጠር ይቻላል። በመደበኛ thyristors ውስጥ፣ 'ጠፍቷል' ተግባር በራስ-ሰር ይከሰታል።
GTOዎች የኃይል መሣሪያዎች ናቸው፣ እና በአብዛኛው በየተለዋጭ የአሁን መተግበሪያዎች ላይ ያገለግላሉ።
የተሸፈነ በር ባይፖላር ትራንዚስተር (IGBT)
IGBT 'Emitter'፣ 'Collector' እና 'Gate' በመባል የሚታወቁ ሶስት ተርሚናሎች ያሉት ሴሚኮንዳክተር መሳሪያ ነው። ከፍተኛ መጠን ያለው ሃይል ማስተናገድ የሚችል እና ከፍተኛ የመቀያየር ፍጥነት ያለው ከፍተኛ ብቃት ያለው ትራንዚስተር አይነት ነው። IGBT በ1980ዎቹ ከገበያ ጋር ተዋወቀ።
IGBT የሁለቱም MOSFET እና ባይፖላር መጋጠሚያ ትራንዚስተር (BJT) ጥምር ባህሪያት አሉት። እንደ MOSFET የሚነዳ በር ሲሆን እንደ BJTs ያሉ የቮልቴጅ ባህሪያት አሉት። ስለዚህ የሁለቱም ከፍተኛ የአሁኑ አያያዝ ችሎታ እና የቁጥጥር ቀላል ጥቅሞች አሉት። IGBT ሞጁሎች (በርካታ መሣሪያዎችን ያቀፈ) ኪሎዋት ኃይልን ይይዛሉ።
በIGBT እና GTO መካከል ያለው ልዩነት ምንድን ነው?
1። ሶስት የ IGBT ተርሚናሎች ኤሚተር፣ ሰብሳቢ እና በር በመባል ይታወቃሉ፣ GTO ግን አኖድ፣ ካቶድ እና በር በመባል የሚታወቁ ተርሚናሎች አሉት።
2። የGTO በር ለመቀያየር የልብ ምት ብቻ ነው የሚያስፈልገው፣ IGBT ግን የማያቋርጥ የቮልቴጅ አቅርቦት ያስፈልገዋል።
3። IGBT የትራንዚስተር አይነት ሲሆን GTO ደግሞ የ thyristor አይነት ነው፣ እሱም በመተንተን ውስጥ እንደ ጥብቅ የተጣመሩ ጥንድ ትራንዚስተሮች ሊቆጠር ይችላል።
4። IGBT አንድ የፒኤን መገናኛ ብቻ ነው ያለው፣ እና GTO ሦስቱ አሉት
5። ሁለቱም መሳሪያዎች በከፍተኛ ሃይል መተግበሪያዎች ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላሉ።
6። GTO ማጥፋትን እና ምትን ለመቆጣጠር ውጫዊ መሣሪያዎችን ይፈልጋል፣ IGBT ግን አያስፈልገውም።
